📢結論短期內廠商需謹慎應對庫存壓力與價格波動，市場需求持續低迷令價格壓力可能延續至2025上半年，若消費性電子市場需求回暖或AI應用滲透率提升則有望成為重要推動力，在2025下半年改善供需結構。

 📉供需壓力持續，DRAM價格走勢看跌   (1) 價格走勢回顧與展望    根據TrendForce最新調查，DDR4與LPDDR4X等成熟製程產品因供應過剩及需求萎縮，價格已經下滑，DDR5與LPDDR5X雖具技術優勢，但需求不明，價格預計將在2024年第四季底步入跌勢。

TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，雖然HBM產能布局樂觀，但市場變化促使2025年上半年DRAM價格跌幅將加劇，尤其DDR4和LPDDR4X的壓力大於先進製程。

    (2) 供給與需求結構的變化    - 供給面挑戰：      - NAND Flash市況惡化，部分產線可能轉向DRAM生產。

      - HBM3e供應進展受NVIDIA認證進度影響，部分產能將回流傳統DRAM。

     - 中國廠商產能快速擴張，成為三大供應商以外的主要供應來源。

    - 需求面疲弱：      - 消費性電子產品需求低迷，削弱了整體市場動能。

      - AI PC、AI智慧型手機等高端應用對DRAM的拉動效應仍有限。

    (3) 庫存影響與市場調控    如果產能調控不力，庫存消化將進一步放緩，可能延續價格下跌趨勢。

 📊 DRAM供需短期承壓，靜待2025下半年回暖   (1) 供給面壓力    - 陸系廠商產能快速提升：長鑫存儲預計2024年底產能擴增至20萬片月，占全球總產能的11%。

    - Samsung產能挑戰：HBM3E設計缺陷導致驗證延遲，DDR3低價庫存清理進度需至2025年初。

    - 拆板顆粒價格壓力：記憶體原廠釋出大量DDR4DDR5拆板顆粒，進一步壓低市場價格。

    (2) 需求面挑戰    - 手機與TV市場需求減弱：陸系手機品牌啟動庫存調整，TV市場在巴黎奧運後需求降溫。

    - iPhone 16需求不如預期：10月為營收高峰，但11月後需求下滑。

    - AI應用滲透率不足：AI PC滲透率偏低，無法對需求形成顯著支持。

 🎁2025年的市場調整與機會   (1) 供給調整方向    全球DRAM產能將小幅增至190~200萬片月，但HBM產能提升顯著，而傳統DRAM產能將減少。

    - Samsung：加速產線升級至alpha與1-beta製程，HBM產能至2025年可達15~17萬片月。

    - SK Hynix：HBM產能擴至20~25萬片月，轉向先進製程。

    - Micron：HBM產能2025年增至4~5萬片月。

    - 長鑫存儲：2025年產能增至30萬片月，DDR5LPDDR5出貨占比提升至40~50%。

    (2) 需求回暖可能性    消費性電子市場需求回升、AI PC及AI智慧型手機滲透率提升，有望於2025下半年改善供需結構。

    (3) 市場風險與應對    若消費市場需求未回暖，DRAM價格回升速度將受限，廠商需密切調整產能以減輕市場壓力。

 🔎DRAM產業未來趨勢    (1) 供需結構變化    全球產能持續轉向HBM等高階產品，傳統DRAM產能減少可能支撐部分價格穩定性，但需求疲弱仍是關鍵挑戰。

    (2) 市場風險與機會    - 如果市場需求持續低迷，價格壓力可能延續至2025上半年。

   - 消費性電子市場需求回暖或AI應用滲透率提升將成為產業重要推動力，有望於2025下半年改善供需結構。